Semiconductors; Electron scattering; Metal oxide semiconductors; Interfaces; Surface roughness; Silicon; Silicon dioxide; Field effect transistors; Cross sections; Mobility; Reprints;
机译:无应变和应变Si MOSFET中表面粗糙度散射限制电子和空穴迁移率的界面粗糙度新表征方案
机译:电子迁移率受AlxGa1-xN / GaN量子阱中表面和界面粗糙度散射的限制
机译:界面粗糙度对表面和整体散射的影响
机译:电子波函数渗透到栅介质和界面散射中-表面粗糙度散射模型的替代方法
机译:电磁波从具有随机和确定性粗糙度的表面散射。
机译:pH对粗糙诱导表面固体油界面有效滑动长度和表面电荷的影响
机译:从流体 - 弹性界面散射具有随机表面粗糙度的空场T矩阵扰动形式主义
机译:si-siO2界面的表面粗糙度散射。