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一种具有HfB2界面的Cf/SiC复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有HfB2界面的Cf/SiC复合材料的制备方法,包括:碳纤维表面活化处理,界面相的制备,多孔纤维预制体的制备,碳化硅基体的制备;其特征在于,碳化硅基体填充在纤维预制体中,形成碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料,而界面层包裹在复合材料中碳纤维的表面。本发明在碳纤维表面制得耐高温抗氧化HfB2界面相,保留了碳纤维原有力学性能,提高了碳纤维高温抗氧化性。本发明解决了传统碳化硅陶瓷基复合材料制备方法制备周期长,Cf/SiC复合材料中增韧相碳纤维与碳化硅基体界面相容性以及碳纤维在高温氧化性的使用环境下容易发生氧化反应的技术问题。

著录项

  • 公开/公告号CN110304932B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南石油大学;

    申请/专利号CN201910737172.X

  • 申请日2019-08-11

  • 分类号C04B35/80(20060101);C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/626(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610500 四川省成都市新都区新都大道8号

  • 入库时间 2022-08-23 12:43:59

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