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机译:湿法SiC氧化过程中4H-SiC / SiO_2界面的反应机理
Mie Univ, Dept Phys Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan;
Mie Univ, Dept Phys Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan;
Mie Univ, Dept Phys Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan;
Mie Univ, Dept Phys Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan;
Shimane Univ, Interdisciplinary Grad Sch Sci & Engn, Matsue, Shimane 6908504, Japan;
Keio Univ, Fac Sci & Technol, Yokohama, Kanagawa 2238522, Japan;
Nagoya Univ, Inst Mat & Syst Sustainabil, Nagoya, Aichi 4648601, Japan;
机译:AB Initio计算湿氧化条件对4H-SiC / SiO_2界面反应机理的影响
机译:用湿氧化的4H-SiC(0001)/ SiO_2界面处的缺陷的电检测磁共振识别
机译:在潮湿的O_2和N_2O环境中进行后氧化退火对p沟道MOS器件热生长的SiO_2 / 4H-SiC界面的影响
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机译:栅极湿式再氧化对4H-siC(000 1)上制备的金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性和沟道迁移率的影响