一种基于超临界氮氧化合物改善4H-SiC/SiO2界面的低温处理方法及其应用

摘要

本发明公开了一种基于超临界氮氧化合物改善4H‑SiC/SiO2界面的低温处理方法及其应用，将待处理的碳化硅样品进行标准清洗；将清洗后的碳化硅样品干氧氧化生长氧化层；将带有氧化层的碳化硅样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；控制压强向超临界设备内充入氮氧气体；将超临界设备温度从23℃升到500℃；保持以上超临界状态处理，直到处理时间结束；反应结束后将反应釜温度降至室温，降压至大气压后取出。本发明不仅可以有效快速的降低界面态密度还可以显著降低工艺温度。