机译:SiC / SiO2在基于N基的4H-SiC MOS电容器中的界面特性,用PECVD制造,没有退火工艺
机译:具有金属后退火的Mo / SiO2 / 4H-SiC金属氧化物半导体的改善界面特性
机译:研究退火工艺和界面与四乙氧基硅烷沉积的SiO2对降低4H-SiC器件栅极定义的热收支的影响
机译:不同退火温度下La2O3 / SiO2 / 4H-SiC MOS电容器的电性能
机译:在存在SiO2 / SiC界面陷阱和固定氧化物的情况下对4H-SiC DMOSFET的I-V-T特性建模
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:5 MeV质子辐射对氮化SiO2 / 4H-SiC MOS电容的影响及相关机制
机译:不同退火温度下La2O3 / siO2 / 4H-siC mOs电容器的电性能