Department of Electrical Engineering, Yale University, Yale, USA;
4H-SiC MOS; angle-resolved X-ray; gate dielectrics; interface trap density; photoelectron spectroscopy (ARXPS);
机译:SiO_2沉积前通过H_2和Ar混合气体处理改善SiO_2 / 4H-SiC(0001)的界面性能
机译:快速热退火对n型4H-SiC上Al_2O_3 / SiN反应阻挡层/热氮化SiO_2堆叠栅电介质的影响
机译:NO退火4H-SiC / SiO_2金属氧化物半导体场效应晶体管的界面过渡层的系统结构和化学特性
机译:通过H_2和AR混合物气体处理在SiO_2沉积之前改进SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面性质
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:富含硅的SiO_2 / SiO_2多层膜:第三代太阳能电池的有前途的材料