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目录
1 绪论
1.1 研究背景与意义
1.2 发展现状与存在问题
1.3 本文主要工作
2 器件结构参数设计与界面态对器件特性的影响分析
2.1 材料参数及物理模型
2.2 元胞结构参数设计
2.3 4H-SiC/SiO2系统中的电荷
2.4 界面态模型及其对器件特性的影响
2.5 本章小结
3 4H-SiC氧化实验与样品制备
3.1 4H-SiC氧化机理
3.2 影响4H-SiC氧化速率的主要因素
3.3 样品制备
3.4 本章小结
4 实验结果与分析
4.1椭偏仪测试结果分析
4.2 SiO2层的XPS分析
4.3 4H-SiC/SiO2界面特性表征方法
4.4 4H-SiC MOS电容C-V特性
4.5 本章小结
5 总结与展望
5.1 总结
5.2 今后工作展望
致谢
参考文献
西安理工大学;