プラズマ酸化膜介在層を有するSiO2/InAlN 界面の特性

摘要

GaN との格子整合が可能なInAlN は、GaN 系HEMT のバリア材料として有用である が、リーク電流が課題である。絶縁膜を導入しMOS ゲートとすることでリーク電流の低減[1]、 さらには400 GHz の遮断周波数が達成されている[2]。しかし、デバイス性能を高めるうえで重要 な、絶縁体－半導体界面の制御方法は確立されていない。本報告では、SiO2 とInAlN の界面を、 プラズマ酸化膜介在層により制御する方法について、最適化を行った結果について報告する.