SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法

摘要

一种SiC氧化中SiC‑SiO₂界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑Si¹⁶O₂‑Si¹⁸O₂或SiC‑Si¹⁸O₂‑Si¹⁶O₂结构的SiC衬底样品，所述SiC衬底样品由SiC氧化获得；将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中，对所述SiC衬底样品匀速加热，不同温度下SiO₂与不同类型的碳杂质反应，生成C¹⁶O和C¹⁸O，并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中；检测所述真空腔体内的C¹⁶O⁺和C¹⁸O⁺的离子电流；分析C¹⁶O⁺和C¹⁸O⁺离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型；分析C¹⁶O⁺和C¹⁸O⁺离子电流的大小随时间的变化关系，确定C¹⁶O⁺和C¹⁸O⁺在样品中的扩散机制，利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。本发明的测试方法操作简单，准确度高，为表征和筛选合格碳杂质浓度的SiC衬底提供了新的思路。