机译:SiC的远程等离子体辅助氧化:形成SiC-SiO2界面的低温工艺,消除了Si碳氧化物过渡区域
GROWN SILICON DIOXIDE; 900 DEGREES-C; SI-SIO2 INTERFACES; SIO2/SI INTERFACE; THIN-FILMS; LOCALIZATION; SPECTROSCOPY; DEPENDENCE; FREQUENCY; SURFACES;
机译:SiC的远程等离子体辅助氧化:形成SiC-SiO2界面的低温工艺,消除了Si碳氧化物过渡区域
机译:等离子体工程设计的Si-SiO2界面:在N2O中通过低温远程等离子体辅助氧化引入单层氮原子
机译:C / SiC梯度氧化保护涂层通过改性反应熔体渗透方法:加工参数对转变界面厚度和高温抗氧化行为的影响
机译:低温远程等离子体辅助氧化与高温常规热氧化制备的SiC-SiO_2界面上的界面键合化学差异
机译:在环境温度下在SiC表面上形成碳氧化硅的XPS研究。
机译:通过直接等离子体辅助氧化控制4H-SiC上生长的SiO2膜中的缺陷和过渡层
机译:低温制备GaN-SiO2具有低缺损密度的界面。 I.两步远程等离子体辅助氧化沉积过程
机译:siC-siO2界面的原子尺度工程