机译:通过EPR研究氧化多孔SiC中的4H-SiC / SiO_2界面碳悬空键中心。
Groupe de Physique des Solides, Universites Paris 6&7, UMR 7588 au CNRS, 2, place Jussieu, 75005 Paris, France;
point defects (vacancies, interstitials, color centers, etc.) and defect clusters; composition, segregation; defects and impurities; impurity and defect levels; energy states of adsorbed species;
机译:4H-SiC(0001)/ SiO_2界面处的碳悬挂键中心(碳P_b中心)
机译:碳P_b样中心在氧化多孔SiC中的3C-和4H-SiC / SiO_2界面处的氢钝化
机译:氢化从头算计算对悬空键自由4H-SiC(1120)/ SiO_2界面的影响
机译:4H-SiC / SiO_2界面缺陷的微观结构和电活性:氧化多孔SiC的EPR研究
机译:基于4H-SiC和AlxGA1-XN的紫外检测应用的异质结装置研究
机译:源材料的形态变化对4H-SiC单晶生长界面的影响
机译:4H-siC / siO2界面缺陷的微观结构和电学活性:氧化多孔siC的EpR研究