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用于晶圆级高精度电压测量的等阻探头分布

摘要

一种用于半导体器件的精确的大电流参数测试的测试系统及测试技术。在操作中,所述测试系统向所述半导体器件提供电流,并测量所述器件上的电压。所述测试系统可使用测得电压来计算所述大电流半导体器件的导通电阻。在一种技术中,多个供电针在多个位置接触一个焊盘,所述位置将相对于接触同一焊盘的一个或多个感测针提供等阻通道。在另一种技术中,穿过所述供电针的电流被调节成使得所述被测器件的所述焊盘处的电压表示所述器件的导通电阻,并且独立于所述供电针的接触电阻。另一种技术使得在供电针的接触电阻超过阈值时生成报警指示。

著录项

  • 公开/公告号CN106104782B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 泰拉丁公司;

    申请/专利号CN201580014717.4

  • 发明设计人 杰克·E·魏默;

    申请日2015-03-18

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人戚传江;金洁

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 11:16:53

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