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公开/公告号CN109375688B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN201811440576.4
发明设计人 黄胜明;汪煊;段权珍;丁月民;
申请日2018-11-29
分类号G05F1/46(20060101);G05F1/567(20060101);
代理机构12223 天津耀达律师事务所;
代理人侯力
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2022-08-23 11:16:25
机译: 超低功耗SRAM单元电路,具有用于近阈值和亚阈值操作的电源反馈环路
机译: 具有低反馈功率的超低功耗SRAM单元电路,用于近阈值和亚阈值操作
机译:使用MOSFET的亚阈特性超低功耗CMOS基准电压源电路
机译:具有亚阈值泄漏的计算:针对超低功耗亚阈值操作的设备/电路/架构协同设计
机译:具有亚阈值/近阈值3D IC技术的超低功耗电路设计
机译:基于亚阈值MOSFET的低电压8.4 ppm /°C基准电压源
机译:强大的超低功耗亚阈值数字电路设计。
机译:亚阈值恐惧调节产生了一种迅速发展的神经机制可激发后续学习
机译:采用亚阈值源耦合电路的超低功耗混合信号设计平台
机译:超低功耗亚阈值电路:程序概述