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【24h】

MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力CMOS参照電圧源回路

机译:使用MOSFET的亚阈特性超低功耗CMOS基准电压源电路

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摘要

MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力で動作する参照電圧源回路を提案する.この回路は,絶対零度におけるMOSFETのしきい値電圧を出力する.0.35-μm CMOSプロセスにより試作を行い,その動作を確認した.-20°C-80°Cの温度変動に対して参照電圧の値は745mVの一定値であり,温度係数は7ppm/°C,1.4V-3Vの電源電圧の変動に対して参照電圧の変動は20ppm/Vであった.PSRR特性は,100Hzにおいて-45dBである.この回路はサブスレッショルド領域と強反転線形領域で動作するCMOS回路のみで構成し,0.3μWの超低消費電力で動作する.また,回路の出力は絶対零度におけるMOSFETのしきい値電圧のため,オンチップでLSI内のプロセスバラツキをモニタすることができる.したがって,出力電圧の特性を利用することでアナログ回路のプロセスバラツキ補正に応用可能である.
机译:我们提出了一种使用MOSFET的亚阈值特性的超低功耗操作的参考电压源电路。该电路以绝对零度输出MOSFET的阈值电压。通过0.35-μmCMOS工艺进行原型并确认其操作。 -20°C-80°C参考电压的值是745 mV的恒定值,温度系数是参考电压的变化,与电源电压的波动为7ppm /°C,1.4V- 3V。它是20 ppm / v。 PSRR特性为-45 dB,100 Hz。该电路仅由在亚阈值区域和强施加的旋转区域中操作的CMOS电路组成,并且以超低功耗为0.3μW。而且,电路的输出可以监视由于MOSFET的阈值电压在绝对零度下具有片上的LSI的处理变化。因此,通过利用输出电压的特性,适用于模拟电路的过程变化校正。

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