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一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法

摘要

一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法,属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料,一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质,以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体,在一定温度条件下,采用直流反应磁控溅射覆膜技术,通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数,制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN108085651B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201711335941.0

  • 申请日2017-12-14

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/02(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张立改

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 11:14:53

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