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董玉兰;
无;
电子束轰击; 薄膜; α-铁薄膜;
机译:通过快速加热温度工艺退火诱导50nm厚的掺杂HFO2薄膜的优异铁电性
机译:50nm厚CR_2O_3薄膜实现磁电效应的实现
机译:室温下50nm厚ZnO薄膜的脉冲电子沉积
机译:Mn厚度对50nm和210nm厚Mn薄膜的Mn-Ge相形成的影响Ge(111)衬底的反应
机译:稀土-Fe-B各向异性溅射薄膜磁体的研制及其在毫米电机中的应用
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:1薄膜坡莫合金薄膜(10nm厚和30-200nm宽)纳米接触的磁电阻通过电子束光刻技术制造。
机译:使用50keVE电子束系统在厚au中制造50nm线和空间X射线掩模
机译:厚度在50nm以下的金属薄膜
机译:硼基薄膜在真空下的沉积包括离子轰击,例如离子轰击。在玻璃基板上提供多种功能,可用于汽车用建筑玻璃
机译:具有盖煤释放的厚平接缝的研制方法
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