改善闪存中高压器件栅极氧化层可靠性的工艺集成方法

摘要

本发明公开了一种改善闪存中高压器件栅极氧化层可靠性的工艺集成方法，包括步骤：步骤一、提供一半导体衬底并形成场氧；步骤二、形成衬垫氧化层；步骤三、进行高压器件的阱区的离子注入；步骤四、进行各闪存单元的阈值电压调整离子注入；步骤五、同时去除闪存单元区和高压器件区的衬垫氧化层；步骤六、同时在闪存单元区和高压器件区的半导体衬底表面形成闪存单元的所需的隧穿氧化层；步骤七、形成第一层多晶硅和ONO层；步骤八、刻蚀形成闪存单元的栅极结构所需的浮栅多晶硅层和ONO层。本发明能减少高压器件栅极氧化层的损伤，改善高压器件栅极氧化层的可靠性，并进而提高高压器件的可靠性。