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METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY DEVICE FOR IMPROVING DIFFERENCE OF EFFECTIVE FIELD OXIDE HEIGHT BETWEEN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR REGION AND LOW VOLTAGE TRANSISTOR/CELL REGION

机译：制造用于改善高压晶体管区域和低压晶体管/电池区域之间的有效场氧化层高度差异的闪存器件的方法

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公开/公告号KR20050002418A

专利类型
公开/公告日2005-01-07

原文格式PDF
申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;
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申请/专利号KR20030043796
发明设计人 LEE BYOUNG KI;CHOI YUN JE;
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申请日2003-06-30
分类号H01L21/76;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:06:04

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