The University of Texas at Arlington.;
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:具有亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅极电介质非晶LaGdO_3栅金属氧化物半导体器件
机译:氮化物/氧化物堆叠栅电介质中的缓冲氧化物层对器件性能和电介质可靠性的影响
机译:通过在薄栅极氧化物上进行远程PECVD顶部氮化物沉积来提高p / sup + /多晶硅MOS器件的栅极介电可靠性
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。