SON器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种SON器件的制备方法，提供一衬底，在所述衬底上形成过渡层，在所述过渡层上形成间隔排列的第一介电层和半导体层，在所述第一介电层和半导体层上形成掩膜层；进行第一次刻蚀，形成第一开口，暴露出所述过渡层的第一组侧面；进行第二次刻蚀，使所述半导体层下的过渡层被部分刻蚀；进行第三次刻蚀，形成第二开口，暴露出所述过渡层的第二组侧面；进行第四次刻蚀，使所述半导体层下的过渡层被全部去除，在所述半导体层下形成空洞层。本发明所提供的方法分两次刻蚀半导体层下的过渡层，通过形成的第一开口和第二开口实现对过渡层的两次刻蚀，形成SON器件结构，能够简单有效地形成半导体层下方的空洞层，从而更好地完成器件的制备。