首页> 中国专利> 一种低频声场质点振速敏感结构及制备方法

一种低频声场质点振速敏感结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种低频声场质点振速敏感结构及制备方法,硅衬底上形成有桥孔,桥孔的一侧上设有第一电极,桥孔的另一侧上设有第二电极、第三电极,桥孔上方设有第一薄丝、第二薄丝,第一薄丝、第二薄丝平行设置且保持微间距,第一薄丝、第二薄丝的敏感层均依次由第一端部敏感层、中部敏感层、第二端部敏感层三段组成,中部敏感层的长度大于第一端部敏感层、第二端部敏感层的长度,中部敏感层用于传递热量,第一端部敏感层、第二端部敏感层用于与电极连接;中部敏感层与第一端部敏感层、第二端部敏感层之间分别设有空气间隙层。本发明能够有效提升低频声场质点振速敏感结构的低频响应特性。

著录项

  • 公开/公告号CN109060108B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国电子科技集团公司第三研究所;

    申请/专利号CN201810708216.1

  • 发明设计人 刘云飞;周瑜;冯杰;

    申请日2018-07-02

  • 分类号G01H11/06(20060101);

  • 代理机构11421 北京天盾知识产权代理有限公司;

  • 代理人张彩珍

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥北路乙7号

  • 入库时间 2022-08-23 11:11:15

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号