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用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理

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摘要

本发明实施例大体上包括薄膜晶体管(TFT)和其制造方法。TFT的栅极介电层会影响TFT的临界电压。经由在沉积主动通道材料前处理栅极介电层，可改进临界电压。处理栅极介电层的一方法涉及使栅极介电层暴露于N

1. 用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理 [P] . 中国专利： CN105097951B . 2020.08.25
2. 用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理 [P] . 中国专利： CN102077356A . 2011-05-25
3. Treatment of Gate Dielectric for Making High Performance Metal Oxide and Metal Oxynitride Thin Film Transistors [P] . 美国专利： US2010001346A1 . 2010-01-07

机译：栅极介电层的处理，用于制备高性能金属氧化物和金属氧氮化物薄膜晶体管
4. Processing gate dielectrics to make high performance metal oxide and metal oxynitride thin film transistors [P] . 日本专利： JP5677711B2 . 2015-02-25

机译：处理栅极电介质以制造高性能的金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管
5. Treatment of gate dielectric for making high performance metal oxide and metal oxynitride thin film transistors [P] . 美国专利： US8435843B2 . 2013-05-07

机译：用于制造高性能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极电介质的处理