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高密度等离子化学气相沉积方法及改善膜厚均匀性的方法

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摘要

一种高密度等离子化学气相沉积方法，此沉积方法是先于晶片上进行第一沉积步骤；然后，将晶片旋转一角度；接着，进行第二沉积步骤，以完成薄膜的沉积。特别是，由上述方法所沉积的薄膜具有均匀的膜厚。

公开/公告号CN100401474C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-07-09

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申请/专利权人旺宏电子股份有限公司;
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申请/专利号CN200410082481.1
发明设计人吕前宏;苏金达;
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申请日2004-09-22
分类号H01L21/205(20060101);H01L21/365(20060101);H01L21/285(20060101);C23C16/00(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址台湾省新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2022-08-23 09:00:38

1. 高密度等离子化学气相沉积方法及改善膜厚均匀性的方法 [P] . 中国专利： CN100401474C . 2008.07.09
2. 一种改善氧化钒膜厚均匀性的气相沉积设备及其气相沉积方法 [P] . 中国专利： CN113930735A . 2022-01-14
3. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method for forming microelectronic layer with enhanced film thickness uniformity [P] . 美国专利： US6281146B1 . 2001-08-28

机译：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法形成具有增强的膜厚均匀性的微电子层
4. HIGH DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS IMPROVING UNIFORMITY OF A PROCESS IN THE WHOLE SURFACE OF A SUBSTRATE [P] . 韩国专利： KR20090117470A . 2009-11-12

机译：高密度等离子体化学气相沉积装置可改善整个基材表面过程的均匀性
5. Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system [P] . 美国专利： US2005025906A1 . 2005-02-03

机译：在等离子体增强化学气相沉积系统中改善膜均匀性的方法