机译:勘误表:“在低缺陷密度的自支撑GaN衬底上通过金属有机气相外延生长的几乎没有堆叠功能的m面GaN同质外延膜的光学性质[Appl。物理来吧92,091912(2008)]
机译:勘误表:“化学气相沉积石墨烯中热电子和声子的超快动力学” [J.应用物理113,133511(2013)]
机译:勘误:“化学气相沉积石墨烯中热电子和声子的超快动力学” [J.应用物理113,13511(2013)]
机译:金属有机化学气相沉积在(1122)刻面GaN /蓝宝石模板上生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管的结构和光学性质
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:勘误表:“使用有机金属化学气相沉积GaN模板消除厚GaN膜中的不均匀性” J.应用物理90,6011(2001)