一种改善氧化钒膜厚均匀性的气相沉积设备及其气相沉积方法

摘要

本发明公开了一种改善氧化钒膜厚均匀性的气相沉积设备及其气相沉积方法，针对现有技术中氧化钒膜厚均匀性较差的问题，提供了以下技术方案，包括真空腔室、溅射电源以及设于真空腔室的磁场装置，真空腔室顶部设有连接溅射电源的靶材，真空腔室底部设有用于沉积薄膜的衬底，真空腔室在衬底正上方中心区域设有挡片，真空腔室水平设置用于安装挡片的支撑杆，衬底的直径为200mm，挡片直径为80~90mm，挡片与衬底之间的距离为110‑130mm。通过挡片挡住部分要沉积在衬底中心区域的氧化钒粒子，从而减少氧化钒在衬底中心区域的沉积量，使氧化钒膜厚更均匀，当衬底的直径为200mm时，选用直径为80~90mm的挡片，并调节挡片与衬底之间的距离为110‑130mm时，能有效提高良率。