首页> 中国专利> 在EUV照射下没有膨胀的用于EUV光刻的反射镜毛坯

在EUV照射下没有膨胀的用于EUV光刻的反射镜毛坯

页面导航

摘要

本发明涉及用于EUV反射镜的衬底，所述衬底具有过零温度的偏离统计分布的变化过程。此外，本发明涉及用于制造用于EUV反射镜的衬底的方法及其使用，其中所述衬底中的过零温度的变化过程与反射镜的运行温度适配，以及涉及在使用这种衬底的情况下的光刻方法。

公开/公告号CN105579410B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-04

原文格式PDF
申请/专利权人赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司;
展开▼

申请/专利号CN201480053715.1
发明设计人 K.贝克;S.托马斯;
展开▼

申请日2014-09-10
分类号C03C3/06(20060101);C03B19/14(20060101);G02B5/08(20060101);G03F7/20(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人卢江;张涛
地址德国哈瑙
入库时间 2022-08-23 11:07:35

1. 在EUV照射下没有膨胀的用于EUV光刻的反射镜毛坯 [P] . 中国专利： CN105579410B . 2020.08.04
2. 在EUV照射下没有膨胀的用于EUV光刻的反射镜毛坯 [P] . 中国专利： CN105579410A . 2016-05-11
3. Mirror blank for EUV lithography that does not expand under EUV irradiation [P] . 日本专利： JP6655008B2 . 2020-02-26

机译：用于EUV光刻的反光镜毛坯在EUV照射下不会膨胀
4. Mirror blank for EUV lithography that does not expand under EUV irradiation [P] . 日本专利： JP2016534959A . 2016-11-10

机译：用于EUV光刻的反光镜毛坯在EUV照射下不会膨胀
5. EUV EUV MIRROR BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY WITHOUT EXPANSION UNDER EUV RADIATION [P] . 韩国专利： KR102096734B1 . 2020-04-03

机译： EUV光刻的EUV EUV镜面空白，在EUV辐射下无需扩展