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公开/公告号CN106784181B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201611153017.6
发明设计人 田爱琴;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉;
申请日2016-12-14
分类号
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人孙伟峰
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
入库时间 2022-08-23 11:02:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
授权
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20161214
实质审查的生效
2017-05-31
公开
机译: 具有InGaN量子阱的纳米棒阵列结构的超亮发光二极管及其制造方法
机译:使用渐变量子阱降低InGaN绿光发光二极管的效率下降效应
机译:具有InGaN底层的紫外线InGaN / GaN多量子阱发光二极管的发光效率的提高
机译:通过通过GaN覆盖层控制消除InGaN / GaN多量子阱结构中的V缺陷,提高了蓝色发光二极管的效率
机译:聚二甲基硅氧烷凹形微结构提高InGaN量子阱发光二极管的光提取效率
机译:GaN / InGaN发光二极管中量子阱结构的建模和分析。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:解开纳米级结构变化对单个纳米发光体发光波长的影响:InGaN / GaN多量子阱纳米LED用于案例研究
机译:交错InGaN量子阱发光二极管提高辐射效率。