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机译:使用渐变量子阱降低InGaN绿光发光二极管的效率下降效应
Inst. of Electro-Opt. Sci. & Technol., Nat. Taiwan Normal Univ., Taipei, Taiwan;
Efficiency droop; InGaN; light-emitting diode (LED);
机译:具有低温p型插入层的蓝色InGaN发光二极管的效率下降
机译:多量子阱InGaN / GaN蓝光发光二极管效率下降机理的研究
机译:InGaN量子阱发光二极管中电流注入效率引起的效率下降
机译:注入电流对InGaN量子阱发光二极管效率下降的影响
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:IngaN / GaN多量子孔绿发光二极管内部量子效率改进
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质