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QUANTUM-DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING QUANTUM-DOT LIGHT-EMITTING DIODE

机译：量子点发光二极管及制造量子点发光二极管的方法

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摘要

There are provided a quantum dot light emitting diode based on a quantum dot of which a surface is passivated with a short chain ligand, and a method of manufacturing the same.

机译：提供了一种量子点发光二极管及其制造方法，该量子点发光二极管基于表面被短链配体钝化的量子点。

著录项

公开/公告号US2020343489A1

专利类型
公开/公告日2020-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人 UNIST (ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY);
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申请/专利号US201716464389
发明设计人 JONG NAM PARK;YO HAN SUH;TAE YUN KIM;
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申请日2017-01-12
分类号H01L51/56;H01L51/50;H01L51;C09K11/06;
国家 US
入库时间 2022-08-21 11:22:37

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