声明
摘要
第一章 绪论
1.1 前言
1.2 半导体材料的发展历程及应用
1.3 GaN基材料的基本物理性质
1.3.1 晶体结构
1.3.2 电学性质
1.3.3 光学性质
1.3.4 能带结构和发光机制
1.3.5 LED外延结构
1.4.本文工作和论文架构
参考文献
第二章 GaN基材料的外延生长、表征及仿真
2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)
2.2 GaN基材料表征
2.2.1 原子力显微镜
2.2.2 透射电子显微镜
2.2.3 扫描透射电子显微镜
2.2.4 X射线衍射
2.2.5 X射线光电子能谱
2.2.6 发光光谱
2.3 APSYS仿真
2.4 本章小结
参考文献
第三章 绿光LED存在的问题及其解决方案
3.1 绿光LED存在的问题
3.2 目前的解决方案
3.2.1 表面/界面改性
3.2.2 GaN垒层掺杂
3.2.3 三元化合物或者四元化合物垒层
3.2.4 非/半极性面上生长量子阱
3.2.5 能带工程
3.3 小结
参考文献
第四章 双波长黄绿光InGaN/GaN量子阱的设计、外延与发光
4.1 引言
4.2 新型InGaN/GaN量子阱和传统三角阱的外延生长
4.3 结果与讨论
4.3.1 新型InGaN/GaN量子阱的微观结构和组分
4.3.2 新型InGaN/GaN量子阱的发光特性和能带结构
4.4 本章小结
参考文献
第五章 总结与展望
附录 硕士期间发表和完成的论文
致谢