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李长富;
山东大学;
InGaN; 多量子阱; LED; 光致;
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝色LED中的GaN-AlGaN-InGaN最后量子势垒
机译:不同GaN盖层厚度的InGaN / GaN多量子阱绿色LED的性能和效率下降行为研究
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:核-壳型InGaN / GaN多量子阱纳米线LED效率的三维数值研究
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:聚焦离子束图案化InGaN / GaN多量子阱纳米柱阵列的拉曼光致发光特性
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:/ InGaN / GaN多量子阱结构层的制造方法
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
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