在制造金属-绝缘体-半导体场效应晶体管中使用的方法

摘要

在制造过程中，将第二氧化物层沉积在结构的第一区和第二区上。所述第二区包括在所述第二氧化物层与外延层之间的第一氧化物层。所述第一区对应于金属‑绝缘体‑半导体场效应晶体管(MISFET)的有源区，并且所述第一区中形成第一类型掺杂源极区、第二类型掺杂本体区和第二类型掺杂注入区。所述第二区对应于所述MISFIT的终端区。在所述第二区上形成掩模，并且移除所述第二氧化物层和所述第一氧化物层的通过间隙而暴露出的部分，由此暴露出所述外延层。第二类型掺杂剂通过所述第一氧化物层和所述第二氧化物层中的所得开口而沉积到所述外延层中，由此形成所述MISFET的场环。