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公开/公告号CN109545760B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN201811227037.2
发明设计人 张卫;孙清清;黄伟;察明扬;
申请日2018-10-22
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 10:59:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-26
授权
2019-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/367 申请日:20181022
实质审查的生效
2019-03-29
公开
机译: 具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译: GaN / AlGaN /或AlGaN / AlGaN量子阱结构的形成方法
机译: 基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译:Si衬底上的AlGaN / GaN单异质结构和AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管的材料生长和器件表征
机译:Al_2O_3 / Si_3N_4绝缘栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的直流和射频特性
机译:具有薄AlGaN阻挡层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al_2O_3绝缘栅结构
机译:控制功率器件的AlGaN / GaN异质结构上的绝缘栅界面
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:用于机载雷达的非制冷射频电子设备。 mBE的alGaN / GaN HEmT结构开发