SOI上的动态阈值电压MOSFET

摘要

提供与晶体管相邻并位于晶体管和到其中形成有晶体管的衬底或阱的接触之间的管体控制接触，根据施加到晶体管栅极的控制信号，晶体管的衬底与零(地)或基本上任意的低电压连接和断开，使晶体管显示出可变的阈值，该可变的阈值在低电源电压下保持良好的性能并降低功耗/消耗，这在便携电子装置中特别有利。由于当晶体管被切换成“截止”状态时，衬底被放电，因此避免了浮体效应(当晶体管在“导通”状态中与电压源断开)。可以采用n型和p型晶体管的互补对的晶体管结构。