公开/公告号CN100369200C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-02-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200510079720.2
申请日2005-06-24
分类号H01L21/203(20060101);H01L21/324(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:00:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-26
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-02-13
授权
授权
2007-02-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-12-27
公开
公开
机译: 通过化学气相沉积法在硅衬底上制备镍薄膜的方法以及在硅衬底上制备硅化镍薄膜的方法
机译: 硅衬底上二氧化硅薄膜的缺陷检测方法
机译: 通过bcr等离子体在硅衬底上形成氧化硅薄膜的方法