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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法

摘要

一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)以硅单晶为衬底材料;2)采用磁控溅射方法,选择锰靶和硅靶两个靶;3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室;4)衬底为室温或加温,锰靶和硅靶共溅射制备锰-硅薄膜;5)退火,在硅单晶衬底上形成锰硅薄膜,该锰硅薄膜表现室温铁磁特性。

著录项

  • 公开/公告号CN100369200C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200510079720.2

  • 申请日2005-06-24

  • 分类号H01L21/203(20060101);H01L21/324(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-26

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-02-13

    授权

    授权

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-27

    公开

    公开

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