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优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌的方法

摘要

本发明公开了一种优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌的方法,包括如下步骤:进行工艺前,建立不同透光率与浅沟槽腰部形貌之间的关系模型,并定义不同刻蚀菜单的透光率区间;进行浅槽隔离刻蚀工艺时,利用光学线宽测量仪实时检测腰部形貌,并根据腰部形貌、不同透光率与浅沟槽腰部形貌之间的关系模型、不同刻蚀菜单的透光率区间,调整刻蚀菜单,精确控制浅槽隔离的整体形貌。本发明通过利用光学线宽测量仪检测量化不同透光率下浅沟槽刻蚀的不同形貌,特别是腰部形貌,调整浅沟槽隔离刻蚀气体的配比,解决了目前只能根据切片监控刻蚀后形貌带来的精确度低,周期长的缺点。

著录项

  • 公开/公告号CN108091560B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201711281769.5

  • 发明设计人 许进;唐在峰;任昱;朱骏;

    申请日2017-12-07

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人栾美洁

  • 地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 10:54:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-10

    授权

    授权

  • 2018-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 申请日:20171207

    实质审查的生效

  • 2018-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20171207

    实质审查的生效

  • 2018-05-29

    公开

    公开

  • 2018-05-29

    公开

    公开

  • 2018-05-29

    公开

    公开

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