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金属氧化物半导体层形成用组合物、以及使用了其的金属氧化物半导体层的制造方法

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摘要

本发明提供一种金属氧化物半导体层形成用组合物，所述金属氧化物半导体层形成用组合物包含通式[1]表示的溶剂、和无机金属盐。(式中，R

1. 金属氧化物半导体层形成用组合物、以及使用了其的金属氧化物半导体层的制造方法 [P] . 中国专利： CN106537569B . 2020.04.03
2. 非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物、非晶态金属氧化物半导体层及其制造方法以及半导体器件 [P] . 中国专利： CN103026474B . 2016.08.24
3. Metal oxide semiconductor layer forming composition, and method for producing metal oxide semiconductor layer using same [P] . 美国专利： US9859442B2 . 2018-01-02

机译：金属氧化物半导体层形成用组合物以及使用该组合物的金属氧化物半导体层的制造方法
4. Composition for forming metal oxide semiconductor layer and method for producing metal oxide semiconductor layer using the same [P] . 日本专利： JPWO2016010052A1 . 2017-07-06

机译：用于形成金属氧化物半导体层的组合物以及使用该组合物的金属氧化物半导体层的制造方法
5. Precursor composition for forming amorphous metal oxide semiconductor layer, method for producing amorphous metal oxide semiconductor layer, and method for producing semiconductor device [P] . 日本专利： JP5854231B2 . 2016-02-09

机译：用于形成非晶态金属氧化物半导体层的前体组合物，用于制造非晶态金属氧化物半导体层的方法以及用于制造半导体器件的方法