封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
1 绪 论
1.1 引言
1.2 金属氧化物半导体缺陷化学
1.3 金属氧化物半导体氧空位气敏模型及其研究现状
1.4 本文的选题思路和主要研究内容
2 金属氧化物半导体气敏材料高通量筛选平台的设计与实现
2.1 引言
2.2 平台设计思路
2.3 平台的实现
2.4 平台的性能评价
2.5 本章小结
3 基于平台R-t测试的金属氧化物半导体气敏研究
3.1 引言
3.2 实验部分
3.3 实验结果
3.4 本章小结
4 基于平台R-T测试的金属氧化物半导体气敏研究
4.1 引言
4.2 实验部分
4.3 结果与讨论
4.4 本章小结
5 温度/气氛场下SnO2纳米晶多孔膜的电子输运模型
5.1 引言
5.2 理论推导
5.3 实验部分
5.4 结果及讨论
5.5 本章小结
6 p型和n型掺杂SnO2纳米晶多孔膜的电子输运模型
6.1 引言
6.2 实验部分
6.3 结果与讨论
6.4 本章小结
7 基于SnO2全缺陷气敏机制的气体辨别方法的建立
7.1 引言
7.2 实验部分
7.3 结果与讨论
7.4 本章小结
8 金属氧化物半导体全缺陷气敏机制气体辨别方法的应用
8.1 引言
8.2 实验部分
8.3 结果与讨论
8.4 本章小结
9 全文总结
9.1 主要结论
9.2 本文的创新之处
9.3 相关工作展望
致谢
参考文献
附录1 攻读博士学位期间撰写与发表的论文
附录2 攻读博士学位期间申请与授权的专利
华中科技大学;