机译:基于HfO_2的InP n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和使用锗界面钝化层的金属氧化物半导体电容器
机译:基于锗界面钝化层的高迁移率基于HfO_2的In_(0.53)Ga_(0.47)As n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有HfO_2介电层和锗界面钝化层的耗尽型GaAs金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有原子层沉积的Al_2O_3电介质的增强模式InP n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用不同厚度的A1_2O_3作为界面钝化层的基于原子层沉积HfO_2的InP n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:等离子渗氮Ga2O3(Gd2O3)作为具有HfTiON栅介质的InGaas金属氧化物半导体电容器的界面钝化层
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)