集成电路中栅极氧化层的TDDB测试方法

摘要

本发明涉及一种集成电路中栅极氧化层的TDDB测试方法。该测试方法包括以下步骤：获得对所述栅极氧化层进行斜坡电压测试所确定的击穿场强；在测试电场下对所述栅极氧化层进行TDDB测试，获得击穿时间；根据所述斜坡电压测试的斜坡率、所述击穿场强、所述击穿时间以及所述测试电场场强确定电场加速因子；以及使用所述电场加速因子计算所述栅极氧化层的寿命。