改善MOS器件性能的方法及MOS器件结构

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善MOS器件性能的方法及MOS器件结构，通过金属硅化工艺形成延伸至栅极侧墙下方的金属硅化物层，进而缩小金属硅化物层与栅极之间的距离，以达到降低器件沟道表面电阻的目的，而通过在源极区的衬底中嵌入设置金属层，或形成全金属硅化的源极区和漏极区，则能进一步的降低器件的漏极感应势垒降低效应(DIBL)以及短沟道效应(SCE)，进而提高MOS器件的性能及良率。