基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法

摘要

本发明公开了一种基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件加工方法，包括以下步骤：A、准备InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片，并进行清洗和干燥；B、通过光刻和腐蚀在InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片上形成有源区隔离台面；C、通过光刻和金属蒸发在高掺杂InGaAs帽层上形成源、漏电极，在InAlAs缓冲层上形成栅引线；D、通过电子束光刻、栅槽腐蚀和金属蒸发在高掺杂InGaAs帽层上形成T型栅；E、在InP基HEMT器件表面旋涂覆盖BCB材料，通过高温固化形成BCB钝化层；F、采用深反应离子刻蚀设备对BCB钝化层进行接触孔刻蚀；G、通过光刻和金属蒸发在接触孔上部的BCB钝化层形成测试电极。本发明有效提高了InP基HEMT器件抗质子辐照能力，并创造了平坦化的布线环境，为抗辐照集成电路发展奠定了良好的基础。