1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器，存储管和选择管共用同一N型掺杂的沟道区；存储管和选择管的多晶硅栅之间通过侧墙隔离；沟道由被存储管的第一多晶硅栅覆盖第一部分沟道和被选择管的第二多晶硅栅覆盖的第二部分沟道串联形成；第一多晶硅栅为N+掺杂，使形成第一部分沟道的阈值电压低于0V；第二多晶硅栅为P+掺杂，利用P+掺杂的功函数更大的特征，使形成第二部分沟道的阈值电压提高到大于0V，从形成存储管为耗尽型以及选择晶体管为增强型的结构，通过共用的沟道注入来提高沟道的均匀性和一致性。本发明还公开了一种1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器的制造方法。本发明能简化工艺并提高器件的性能。