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利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置

摘要

本发明提供了一种利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置,该承载装置包括承载主体以及加热元件;其中,所述加热元件用于对所述承载主体进行加热,所述承载主体的上表面设有导热支撑体,在利用准分子激光退火法制作低温多晶硅的过程中,所述导热支撑体用于支撑玻璃基板,并将所述承载主体的热量传递到玻璃基板上。该承载装置通过设置加热元件以及带有导热支撑体的承载主体结构,可以对承载多晶硅材料的玻璃基板进行局部加热,进而在重结晶过程中可以形成稳定的低温区和高温区,以便获得可控制结晶方向的多晶硅材料,使多晶硅材料具有晶粒间晶界少,晶粒大,且多晶硅的载子移动率高的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN106981416B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201710347128.9

  • 发明设计人 余威;

    申请日2017-05-17

  • 分类号

  • 代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李庆波

  • 地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

  • 入库时间 2022-08-23 10:44:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-26

    授权

    授权

  • 2017-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170517

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170517

    实质审查的生效

  • 2017-07-25

    公开

    公开

  • 2017-07-25

    公开

    公开

  • 2017-07-25

    公开

    公开

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