使用快速热加工形成异质外延层以除去晶格位错

摘要

本发明公开了用于通过使用原子层沉积(ALD)然后快速热退火来在硅基底上生长氮化镓层的氮化镓装置的装置生产的方法和装置。氮化镓直接在硅上生长或在生长在硅基底上的氮化铝阻挡层上生长。一个层或者两个层都通过快速热退火进行热加工。优选地，ALD法使用低于550℃且优选低于350℃的反应温度。该快速热退火步骤使涂布表面的温度在少于12msec内提高到550至1500℃的温度。