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用于在双镶嵌结构中蚀刻电介质阻挡层的方法

摘要

提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中,用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤:将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板,所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层,所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上;在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后,暴露电介质阻挡层的部分;从所述基板中去除所述硬掩模层;以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。

著录项

  • 公开/公告号CN105917440B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201480073342.4

  • 申请日2014-12-18

  • 分类号H01L21/027(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄嵩泉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:42:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-12

    授权

    授权

  • 2017-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20141218

    实质审查的生效

  • 2017-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20141218

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    公开

    公开

  • 2016-08-31

    公开

    公开

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