法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-12
授权
授权
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20141218
实质审查的生效
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20141218
实质审查的生效
2016-08-31
公开
公开
2016-08-31
公开
公开
机译: 处理镶嵌结构中的多孔低k电介质材料以在多孔低k电介质材料的蚀刻过孔和沟槽表面上形成无孔电介质扩散阻挡层的方法
机译: 使用光压印光刻技术制造双镶嵌结构的方法,用于双镶嵌结构的压印光刻模具的制造方法,用于可压印电介质的材料以及用于双镶嵌图案化的光压印光刻设备
机译: 在双镶嵌结构中蚀刻介电阻挡层的方法