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不具有弛豫衬底的NMOS和PMOS应变器件

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摘要

本文的实施例提供了涉及不具有弛豫衬底的应变NMOS和PMOS器件的半导体器件和方法，以及因此提供并入这样的半导体器件和方法的系统。

1. 不具有弛豫衬底的NMOS和PMOS应变器件 [P] . 中国专利： CN105723500B . 2019.11.12
2. 不具有驰豫衬底的NMOS和PMOS应变器件 [P] . 中国专利： CN105723500A . 2016-06-29
3. A method for providing an nMOS device and a pMOS device on a silicon substrate and silicon substrate comprising an nMOS device and a pMOS device [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2978016B1 . 2018-06-13

机译：在硅衬底上提供nMOS器件和pMOS器件的方法以及包括nMOS器件和pMOS器件的硅衬底
4. Method for providing an NMOS device and a PMOS device on a silicon substrate and silicon substrate comprising an NMOS device and a PMOS device [P] . 美国专利： US9502415B2 . 2016-11-22

机译：在硅衬底上提供NMOS器件和PMOS器件的方法以及包括NMOS器件和PMOS器件的硅衬底
5. A method for providing an nMOS device and a pMOS device on a silicon substrate and silicon substrate comprising an nMOS device and a pMOS device [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2978016A1 . 2016-01-27

机译：在硅衬底上提供nMOS器件和pMOS器件的方法以及包括nMOS器件和pMOS器件的硅衬底