法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-05
授权
授权
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/417 申请日:20160519
实质审查的生效
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20160519
实质审查的生效
2016-08-10
公开
公开
2016-08-10
公开
公开
机译: 制造具有沟槽型隔离层的半导体器件的方法,该绝缘层能够通过利用绝缘层填充护沟来去除护城河中的栅状材料的残留层
机译: 导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法及导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法
机译: 防止短路状态的绝缘栅双极型晶体管的保护方法和至少两个串联连接的绝缘栅双极型晶体管的保护方法