具有环栅式阴极的纳米真空间隙器件

摘要

一种半导体功率处理器件，包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。一种半导体功率处理器件阵列，每个器件包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。多个半导体功率处理器件可以按行和列排列，并且可以互相连接以满足不同应用的需求。该半导体功率处理器件阵列可以在单一块衬底上制造。