一种基于钯铜线的半导体键合工艺

摘要

本发明涉及一种基于钯铜线的半导体键合工艺，包括：A.劈刀移至芯片焊盘的位置，使用表面镀钯的纯铜线构成的焊线线材制作第一个焊点的焊球；B.拉线弧，焊线线材被拉起到设定的高度后，从最高点移动到第二个焊点的位置，完成焊线线材的走线；C.劈刀移至PCB板的焊盘的位置，使用焊线线材焊接第二个焊点；其中，制作第一个焊点和第二个焊点时，使用保护气体充盈劈刀及劈刀的周边，保护气体的成分为：95％～99％氮气和1％～5％的氢气，重量百分比。钯铜线的价格只有不到金线价格的10％，可以节约大量的成本；在键合过程中，使用氢气作为保护气，可以将铜从氧化铜里面还原出来；键合工艺参数范围变宽，非常有利于调整到最佳的工艺参数，获得优良的键合效果。